أحدث الأخبار
  • 08:50 . الذكاء الاصطناعي في مجمع الفقه... المزيد
  • 07:26 . الإمارات ترحب بإعلان ترامب رفع العقوبات عن سوريا... المزيد
  • 05:55 . ترامب يصل الدوحة في ثاني جولاته الخليجية... المزيد
  • 01:18 . البيت الأبيض: ترامب يدعو الشرع للانضمام إلى اتفاقيات "التطبيع مع إسرائيل"... المزيد
  • 01:16 . ترامب يجتمع مع الشرع في الرياض بحضور ولي العهد السعودي وأردوغان عبر تقنية الفيديو... المزيد
  • 01:03 . تحذير من التعامل مع مكاتب غير مرخصة لاستقدام العمالة المساعدة... المزيد
  • 12:42 . الاحتلال الإسرائيلي يصدر تحذيرا بإخلاء ثلاثة موانئ غربي اليمن... المزيد
  • 12:38 . ولي العهد السعودي يفتتح القمة الخليجية الأميركية بالرياض... المزيد
  • 12:38 . عقوبات أمريكية على شركات نقل نفط إيراني للصين تزامناً مع زيارة ترامب للخليج... المزيد
  • 12:15 . عبدالله بن زايد يجري مباحثات حول غزة مع نائب عباس في أبوظبي... المزيد
  • 10:53 . رئيس الدولة يغيب عن اجتماع قادة الخليج وترامب في الرياض... المزيد
  • 10:44 . "رويترز": الهدنة مع الحوثيين أعقبت معلومات أمريكية عن سعي الجماعة إلى مخرج... المزيد
  • 10:36 . زلزال في اليونان يهز مصر وتركيا دون تسجيل أضرار... المزيد
  • 12:52 . ترامب يلتقي الشرع اليوم بالرياض ويقرر رفع العقوبات عن سوريا... المزيد
  • 09:50 . صحّ النوم يا أستاذ... المزيد
  • 06:44 . بـ600 مليار دولار.. ترامب وولي عهد السعودية يوقعان وثيقة شراكة استراتيجية... المزيد

سامسونج تكشف النقاب عن وحدات ذاكرة DDR5 بسعة 512 جيجابايت

وكالات – الإمارات 71
تاريخ الخبر: 25-03-2021

كشفت شركة سامسونج النقاب عن وحدة ذاكرة الوصول العشوائي الجديدة التي تُظهر إمكانات ذاكرة DDR5 من حيث السرعة والسعة.

ويهدف DDR5، المعيار الجديد في ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي DRAM، إلى تلبية المتطلبات المتعطشة للحوسبة الفائقة والذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي، بالإضافة إلى تطبيقات تحليل البيانات.

وقالت سامسونج: إن وحدة DDR5 بسعة 512 جيجابايت هي أول وحدة تستخدم تقنية المعالجة HKMG، حيث توفر سرعة تصل إلى 7200 ميجابت في الثانية – أي أكثر من ضعف سرعة DDR4.

وتستهدف هذه الوحدة في الوقت الحالي الحوسبة الفائقة المتعطشة للبيانات ووظائف الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي، لكن DDR5 ستجد طريقها إلى أجهزة الحاسب العادية، مما يعزز الألعاب والتطبيقات الأخرى.

واستخدمت سامسونج تقنية المعالجة HKMG للمرة الأولى في عام 2018 مع شرائح GDDR6 المستخدمة في وحدات معالجة الرسومات.

ومن خلال توسيع استخدامها في DDR5، تعمل سامسونج على ترسيخ ريادتها في الجيل التالي من تقنية DRAM.

وتم تطوير تقنية المعالجة HKMG بواسطة إنتل، وهي تستخدم الهافنيوم بدلاً من السيليكون، حيث تحل المعادن محل أقطاب بوابة البولي سيليكون العادية، مما يسمح بكثافة أعلى للرقاقات، مع تقليل التسرب الحالي.

وتستخدم كل شريحة ثماني طبقات من رقاقات DRAM بسعة 16 جيجابايت لتقديم أكبر سعة تبلغ 512 جيجابايت، وعلى هذا النحو، تحتاج سامسونج إلى 32 من هؤلاء لإنشاء وحدة ذاكرة وصول عشوائي بسعة 512 جيجابايت.

وبالإضافة إلى السرعات والسعة الأعلى، قالت سامسونج: إن الشريحة تستخدم طاقة أقل بنسبة 13 في المئة من الوحدات غير المزودة بتقنية HKMG، وهي مثالية لمراكز البيانات.

ومع سرعات تبلغ 7200 ميجابت في الثانية، فإن أحدث وحدة من سامسونج توفر سرعات نقل تبلغ نحو 57.6 جيجابايت في الثانية عبر قناة واحدة.

وفي بيان صحفي لشركة سامسونج، أشارت إنتل إلى أن الذاكرة ستكون متوافقة مع معالجات Xeon Scalable من الجيل التالي Sapphire Rapids.

وتستخدم هذه البنية وحدة تحكم في الذاكرة DDR5 من ثماني قنوات، لذلك يمكننا أن نرى تكوينات ذاكرة متعددة التيرابايت بسرعات نقل ذاكرة تصل إلى 460 جيجابايت في الثانية.

وفي الوقت نفسه، يمكن أن تصل أجهزة الحاسب الاستهلاكية الأولى في عام 2022 عندما تكشف AMD عن منصة Zen 4 الخاصة بها، التي يُشاع أنها تدعم DDR5.

وتتميز DDR5 من سامسونج أيضًا بتقنية ECC لتعزيز الموثوقية، حيث يُتوقع أن تساعد العتاد في تشغيل أجهزة الحاسب اللازمة، من بين أمور أخرى، للبحث الطبي والأسواق المالية والقيادة المستقلة والمدن الذكية.